一、晶圆清洗概述与重要性

在半导体制造过程中，晶圆清洗是确保芯片良率和性能的关键工艺环节。随着半导体制程不断向纳米级发展，晶圆表面的污染物控制变得越来越严格，清洗技术的重要性日益凸显。晶圆清洗的主要目的是去除晶圆表面在制程中产生的各类污染物，包括颗粒、有机物、金属离子和氧化层等，以确保晶圆表面达到原子级洁净度，满足高精度制程要求(1)。

晶圆清洗的重要性主要体现在以下几个方面：

1. 提高良率：有效去除污染物可以显著降低芯片缺陷率，提高最终产品的良率(20)

2. 优化器件性能：确保晶圆表面洁净度，有利于后续工艺的进行，提高器件的电学特性与可靠性(1)

3. 降低成本：通过提高良率和减少返工，降低整体生产成本(20)

4. 适应先进制程：随着特征尺寸缩小至 3nm 及以下，对清洗技术提出了更高的要求(30)

当前，晶圆清洗主要分为湿法清洗和干法清洗两大类。其中，湿法清洗占据市场主导地位，市场份额约占 85%，尤其在 3D NAND 堆叠结构清洗、铜互连工艺等场景中不可替代(11)。本报告将重点分析湿法清洗中常用的化学物质及其工艺流程，为晶圆自动清洗设备的优化提供技术参考。

二、晶圆清洗常用化学物质及其作用机制

2.1 王水 (Aqua Regia)

2.1.1 组成与性质

王水是一种由浓硝酸 (HNO₃) 和浓盐酸 (HCl) 按体积比 1:3 混合而成的强腐蚀性液体，具有强烈的氧化性和配位能力(34)。其名称 "Aqua Regia" 源自拉丁语，意为 "皇家之水"，形容它能够溶解金、铂等贵金属的特性(37)。

2.1.2 在晶圆清洗中的具体作用

王水在晶圆清洗中的主要作用是去除晶圆表面的金属薄膜和顽固残留物，特别是对金、铂等贵金属的溶解效果显著(26)。其作用机制主要基于以下几点：

1. 强氧化性：硝酸作为强氧化剂，能够氧化晶圆表面的金属，使其形成可溶的金属离子(37)

2. 配位能力：氯离子 (Cl⁻) 能够与金属离子形成稳定的配位化合物，增强金属的溶解性(26)

3. 协同效应：硝酸和盐酸的混合产生协同作用，能够溶解单独使用其中一种酸无法溶解的物质(37)

2.1.3 使用步骤与工艺参数

王水在晶圆清洗中的典型使用步骤如下：

1. 准备阶段：按照 1:3 的体积比将浓硝酸和浓盐酸混合，注意必须将硝酸缓慢加入盐酸中，并不断搅拌(34)

2. 清洗阶段：将晶圆浸没在王水溶液中，通常在室温下进行，处理时间根据污染物类型和程度控制在 5-15 分钟(42)

3. 漂洗阶段：使用去离子水彻底冲洗晶圆，确保王水残留被完全清除(26)

4. 后续处理：根据需要，可进行进一步的氧化处理或去离子水冲洗(26)

王水清洗的工艺参数通常为：

• 温度：室温 (20-25℃)，避免加热以减少有害气体挥发(34)

• 浓度：硝酸：盐酸 = 1:3 (体积比)(34)

• 处理时间：5-15 分钟(42)

• 操作环境：必须在通风良好的环境中进行，最好配备废气处理系统(34)

2.2 盐酸 (HCl)

2.2.1 性质与特性

盐酸是一种强酸，在晶圆清洗中通常使用浓盐酸 (质量分数约 37%)，具有强腐蚀性和挥发性(3)。

2.2.2 在晶圆清洗中的具体作用

盐酸在晶圆清洗中的主要作用包括：

1. 金属离子去除：盐酸能够与金属离子形成可溶性氯化物，有效去除晶圆表面的重金属离子，如铁 (Fe)、铜 (Cu)、钠 (Na) 等(3)

2. 氧化物蚀刻：可用于去除晶圆表面的某些金属氧化物(3)

3. 调整 pH 值：在某些清洗配方中用作 pH 调节剂(8)

2.2.3 使用步骤与工艺参数

盐酸在晶圆清洗中的典型使用步骤如下：

1. 溶液制备：根据需要将浓盐酸稀释至所需浓度，通常使用去离子水稀释(7)

2. 清洗阶段：将晶圆浸没在盐酸溶液中，或通过喷淋方式将溶液均匀覆盖在晶圆表面(11)

3. 漂洗阶段：使用去离子水彻底冲洗晶圆，去除残留的盐酸溶液(11)

4. 干燥阶段：通过旋转甩干或氮气吹干等方式去除晶圆表面的水分(11)

盐酸清洗的工艺参数通常为：

• 浓度：根据应用场景不同，浓度范围可从 1% 到 37% 不等(7)

• 温度：通常在室温下使用，但在某些特定配方中可加热至 65-85℃(7)

• 处理时间：5-20 分钟，具体取决于污染物类型和浓度(7)

• 操作环境：必须在通风良好的环境中进行，配备适当的防护设备(3)

在标准清洗 2 (SC-2) 工艺中，盐酸与过氧化氢和水按 6:1:1 的比例混合，在 85℃下使用，主要用于去除金属污染物(43)。

2.3 去离子水 (DIW)

2.3.1 性质与特性

去离子水 (DIW) 是通过离子交换树脂去除了大部分离子杂质的高纯度水，电阻率通常大于 18 MΩ・cm，是晶圆清洗中最常用的清洗介质(11)。

2.3.2 在晶圆清洗中的具体作用

去离子水在晶圆清洗中的主要作用包括：

1. 基本清洗介质：作为大多数清洗液的溶剂，是晶圆清洗中最基础的成分(11)

2. 漂洗作用：用于去除晶圆表面残留的化学物质和污染物(11)

3. 温度控制：可通过调整水温来控制清洗过程中的温度(11)

4. 稀释作用：用于稀释各种化学试剂，调整其浓度以适应不同的清洗需求(11)

2.3.3 使用步骤与工艺参数

去离子水在晶圆清洗中的典型使用步骤如下：

1. 制备阶段：通过多级过滤和离子交换制备高纯度去离子水，确保其电阻率符合要求(11)

2. 清洗阶段：将晶圆浸没在去离子水中，或通过喷淋方式进行冲洗(11)

3. 漂洗阶段：通常作为化学清洗后的漂洗步骤，确保化学残留被彻底清除(11)

4. 干燥阶段：去离子水冲洗后通常需要进行干燥处理，以去除晶圆表面的水分(11)

去离子水清洗的工艺参数通常为：

• 电阻率：≥18 MΩ·cm(11)

• 温度：根据应用场景不同，可在室温或加热条件下使用(11)

• 流量：喷淋清洗时，流量通常控制在 5-15 L/min，以确保晶圆表面完全覆盖(11)

• 压力：喷淋清洗时，压力通常控制在 0.1-0.5 MPa，避免压力过大损伤晶圆表面(11)

在 QDR (快速排水冲洗) 工艺中，去离子水的使用尤为关键，其注满水时间和排水时间对晶圆清洗质量有很大影响(12)。QDR 的喷淋注满水时间和排水时间越短，晶圆暴露在空气中的时间就越短，形成的自然氧化层也越薄，有利于提高清洗效果(12)。

2.4 快速排水冲洗 (QDR)

2.4.1 定义与原理

QDR (Quick Dump Rinse) 即快速排水冲洗，是晶圆湿法清洗中最重要的一个清洗工艺模块，主要用于去除晶圆表面微粒杂质和残留化学药液(12)。QDR 的工作原理基于快速冲洗和快速排水的循环过程，通过多次循环提高清洗效率(12)。

2.4.2 在晶圆清洗中的具体作用

QDR 在晶圆清洗中的主要作用包括：

1. 残留化学液去除：有效去除晶圆表面残留的化学药液，防止二次污染(12)

2. 微粒杂质清除：通过快速水流冲刷，去除晶圆表面的微小颗粒(12)

3. 减少氧化层形成：通过缩短晶圆暴露在空气中的时间，减少自然氧化层的形成(12)

4. 提高清洗效率：通过多次快速冲洗和排水循环，提高整体清洗效率(15)

2.4.3 使用步骤与工艺参数

QDR 在晶圆清洗中的典型使用步骤如下：

1. 喷淋阶段：从槽体上部喷淋去离子水，同时从底部注入去离子水，使晶圆表面完全覆盖(12)

2. 浸泡阶段：保持短时间的浸泡，通常为数秒至数十秒，使颗粒和残留化学物质充分溶解(12)

3. 排水阶段：快速排空槽体内的去离子水，将溶解的污染物带走(12)

4. 循环阶段：重复喷淋、浸泡和排水过程，通常进行 3-4 个循环，确保清洗效果(15)

5. 检测阶段：通过电阻率检测仪检测溢流排放口的水质，评估清洗效果(12)

QDR 的工艺参数通常为：

• 喷淋时间：尽可能缩短，通常控制在 10-30 秒内(12)

• 浸泡时间：根据污染物类型和程度，通常为 10-60 秒(12)

• 排水时间：尽可能缩短，通常控制在 10-30 秒内(12)

• 循环次数：3-4 次(15)

• 水质检测：通过在线电阻率检测仪实时监测水质，确保达到清洗要求(12)

QDR 系统通常配备氮气鼓泡功能，其作用包括：

1. 增加去离子水的冲刷力，对槽体本身有很好的自清洗作用(12)

2. 使晶圆在水流中颤动，提高冲洗效果(12)

3. 减少去离子水中的含氧量，避免在晶圆表面生成氧化物(12)

2.5 去离子水冲洗 (DR)

2.5.1 定义与原理

DR (Deionized Water Rinse) 即去离子水冲洗，是晶圆清洗过程中最基础也是最常用的工艺步骤，主要用于去除晶圆表面残留的化学物质和微小颗粒(12)。DR 的工作原理基于去离子水的高纯度特性，通过物理冲刷和溶解作用清除污染物(12)。

2.5.2 在晶圆清洗中的具体作用

DR 在晶圆清洗中的主要作用包括：

1. 化学残留去除：去除晶圆表面残留的各类化学物质，如酸、碱、表面活性剂等(12)

2. 颗粒污染物清除：通过水流冲刷，去除晶圆表面的微小颗粒(12)

3. 表面清洁：为后续工艺提供清洁的晶圆表面，确保后续工艺的顺利进行(12)

4. 氧化层控制：通过控制冲洗时间和水温，控制晶圆表面自然氧化层的形成(12)

2.5.3 使用步骤与工艺参数

DR 在晶圆清洗中的典型使用步骤如下：

1. 准备阶段：确保去离子水的电阻率达到要求，通常≥18 MΩ・cm(12)

2. 冲洗阶段：将去离子水喷淋或浸没在晶圆表面，确保整个表面都被覆盖(12)

3. 浸泡阶段：根据需要可设置短时间的浸泡步骤，通常为数秒至数分钟(12)

4. 排水阶段：排出含有污染物的去离子水(12)

5. 检测阶段：通过在线检测设备检测水质，确保达到清洗要求(12)

DR 的工艺参数通常为：

• 温度：通常在室温下进行，但在某些特定工艺中可加热至 40-60℃(12)

• 流量：根据晶圆尺寸和设备类型，流量控制在 5-20 L/min(12)

• 压力：喷淋压力通常控制在 0.1-0.5 MPa，避免压力过大损伤晶圆表面(12)

• 时间：单次冲洗时间通常为 1-5 分钟，可根据清洗需求调整(12)

• 循环次数：根据污染物程度，可进行 1-3 次循环(12)

DR 与 QDR 的主要区别在于 QDR 强调 "快冲快排"，通过缩短喷淋注满水时间和排水时间，减少晶圆暴露在空气中的时间，从而减少自然氧化层的形成(12)。而 DR 则更注重于彻底冲洗，可能牺牲一定的时间换取更彻底的清洗效果(12)。

2.6 氮气 (N₂)

2.6.1 性质与特性

氮气是一种无色无味的惰性气体，在常温常压下化学性质稳定，不易与其他物质发生反应(12)。在晶圆清洗中通常使用高纯氮气 (纯度≥99.999%)(12)。

2.6.2 在晶圆清洗中的具体作用

氮气在晶圆清洗中的主要作用包括：

1. 鼓泡搅拌：在清洗槽中通入氮气产生鼓泡效果，增加去离子水的冲刷力，对槽体本身有很好的自清洗作用(12)

2. 晶圆颤动：使晶圆在水流中颤动，防止气泡附着，提高冲洗效果(12)

3. 溶解氧控制：减少去离子水中的含氧量，避免在晶圆表面生成氧化物(12)

4. 干燥辅助：作为干燥介质，帮助去除晶圆表面的水分(11)

5. 气氛保护：在某些特定工艺中，提供惰性气氛保护，防止晶圆表面氧化(11)

2.6.3 使用步骤与工艺参数

氮气在晶圆清洗中的典型使用步骤如下：

1. 鼓泡阶段：在去离子水冲洗过程中，从清洗槽底部通入高纯氮气，产生鼓泡效果(12)

2. 干燥阶段：在去离子水冲洗后，使用氮气吹干晶圆表面的水分(11)

3. 气氛保护阶段：在某些特定工艺中，可在整个工艺过程中保持氮气气氛(11)

氮气使用的工艺参数通常为：

• 纯度：≥99.999%，确保无杂质污染晶圆(11)

• 流量：鼓泡时流量控制在 1-5 L/min，根据清洗槽大小调整(12)

• 压力：干燥时压力控制在 0.1-0.5 MPa，避免压力过大损伤晶圆表面(11)

• 温度：通常为室温，但在某些情况下可加热至 40-60℃，提高干燥效率(11)

• 时间：鼓泡时间通常为 1-5 分钟，干燥时间通常为 5-15 分钟(11)

在 QDR 工艺中，氮气鼓泡是一个重要环节，其作用包括增加去离子水的冲刷力、使晶圆在水流中颤动提高冲洗效果，以及减少去离子水中的含氧量，避免在晶圆表面生成氧化物(12)。同时，在晶圆干燥阶段，氮气也是最常用的干燥介质之一，通过吹干或旋转吹扫等方式去除晶圆表面的水分(11)。

2.7 硝酸 (HNO₃)

2.7.1 性质与特性

硝酸是一种强氧化性酸，在晶圆清洗中通常使用浓硝酸 (质量分数约 65%)，具有强腐蚀性和氧化性(26)。

2.7.2 在晶圆清洗中的具体作用

硝酸在晶圆清洗中的主要作用包括：

1. 强氧化性：作为强氧化剂，能够氧化晶圆表面的有机物和某些金属，使其形成可溶的氧化物(26)

2. 有机物去除：能够有效分解和去除晶圆表面的有机污染物(26)

3. 金属氧化物蚀刻：可用于去除某些金属氧化物(26)

4. 协同作用：与其他酸 (如盐酸) 混合使用时，产生协同作用，提高清洗效果(34)

2.7.3 使用步骤与工艺参数

硝酸在晶圆清洗中的典型使用步骤如下：

1. 溶液制备：根据需要将浓硝酸稀释至所需浓度，通常使用去离子水稀释(26)

2. 清洗阶段：将晶圆浸没在硝酸溶液中，或通过喷淋方式将溶液均匀覆盖在晶圆表面(11)

3. 漂洗阶段：使用去离子水彻底冲洗晶圆，去除残留的硝酸溶液(11)

4. 干燥阶段：通过旋转甩干或氮气吹干等方式去除晶圆表面的水分(11)

硝酸清洗的工艺参数通常为：

• 浓度：根据应用场景不同，浓度范围可从 1% 到 65% 不等(26)

• 温度：通常在室温下使用，但在某些特定配方中可加热至 40-80℃(26)

• 处理时间：5-20 分钟，具体取决于污染物类型和浓度(26)

• 操作环境：必须在通风良好的环境中进行，最好配备废气处理系统(26)

硝酸与盐酸按 1:3 的体积比混合可形成王水，这是一种非常强的清洗剂，能够溶解单独使用硝酸或盐酸无法溶解的物质，如金、铂等贵金属(34)。王水通常在室温下使用，处理时间为 5-15 分钟，之后必须使用去离子水彻底冲洗(34)。

2.8 室温 (RT) 操作

2.8.1 定义与范围

RT (Room Temperature) 即室温，在晶圆清洗工艺中通常指 20-25℃的温度范围(5)。在室温条件下进行的清洗工艺不需要额外的加热或冷却设备，操作相对简单(5)。

2.8.2 在晶圆清洗中的具体作用

室温操作在晶圆清洗中的主要作用包括：

1. 简化工艺：不需要额外的加热或冷却设备，降低工艺复杂度和成本(5)

2. 减少能耗：无需消耗能源维持特定温度，降低能耗(5)

3. 控制反应速率：在某些情况下，较低的温度有助于控制反应速率，避免过度反应(5)

4. 减少挥发性：降低某些化学物质的挥发性，减少有害气体排放(5)

5. 延长溶液寿命：在室温下，某些清洗溶液的稳定性更好，使用寿命更长(5)

2.8.3 使用步骤与工艺参数

室温操作在晶圆清洗中的典型使用步骤与一般清洗步骤类似，主要区别在于不需要温度控制步骤。具体步骤如下：

1. 溶液制备：在室温下将所需化学物质按比例混合，制备清洗溶液(5)

2. 清洗阶段：将晶圆浸没在室温的清洗溶液中，或通过喷淋方式进行清洗(5)

3. 漂洗阶段：使用室温去离子水彻底冲洗晶圆，去除残留的清洗溶液(5)

4. 干燥阶段：通过旋转甩干或室温氮气吹干等方式去除晶圆表面的水分(5)

室温清洗的工艺参数通常为：

• 温度：20-25℃(5)

• 浓度：根据具体清洗溶液而定(5)

• 处理时间：根据污染物类型和浓度而定，通常为 5-30 分钟(5)

• 操作环境：通常在洁净室环境中进行，保持环境清洁(5)

Techniclean IK 73 是一种专为去除高 k 介质金属氧化物残留而设计的清洗剂，特别适合在室温下使用，具有良好的清洗效果且易于冲洗(5)。该产品在室温下即可发挥良好性能，适用于浸没、批量喷雾和单晶圆化学应用(5)。

2.9 洁净干燥空气 (CDA)

2.9.1 定义与特性

CDA (Clean Dry Air) 即洁净干燥空气，是经过过滤和干燥处理的压缩空气，具有无油、无水、无尘的特性，是晶圆清洗后干燥过程的重要介质(23)。

2.9.2 在晶圆清洗中的具体作用

CDA 在晶圆清洗中的主要作用包括：

1. 干燥晶圆：通过吹干或吹扫方式去除晶圆表面的水分，实现快速干燥(23)

2. 颗粒去除：高速气流可帮助去除晶圆表面的微小颗粒(23)

3. 防止再污染：提供洁净的干燥环境，防止干燥过程中引入新的污染物(23)

4. 辅助清洗：在某些清洗步骤中，可与去离子水配合使用，增强清洗效果(23)

2.9.3 使用步骤与工艺参数

CDA 在晶圆清洗中的典型使用步骤如下：

1. 气源准备：确保压缩空气经过高效过滤和干燥处理，达到洁净干燥的要求(23)

2. 干燥阶段：在去离子水冲洗后，使用 CDA 吹干晶圆表面的水分(23)

3. 检测阶段：通过检测晶圆表面的干燥程度和洁净度，评估干燥效果(23)

CDA 干燥的工艺参数通常为：

• 压力：通常控制在 0.1-0.5 MPa，避免压力过大损伤晶圆表面(23)

• 温度：通常为室温，但在某些情况下可加热至 40-60℃，提高干燥效率(23)

• 流量：根据晶圆尺寸和设备类型，流量控制在 5-20 L/min(23)

• 时间：通常为 1-5 分钟，具体取决于晶圆尺寸和干燥要求(23)

• 洁净度：要求达到 ISO 8 级 (每立方米空气中≥0.5μm 的颗粒不超过 293,000 个) 或更高标准(23)

在某些高端清洗设备中，CDA 与 DIW (去离子水) 结合使用，形成水气二流体清洗系统，能够同时实现清洗和干燥功能，提高清洗效率和效果(23)。

三、晶圆清洗工艺流程技术特点对比分析

3.1 清洗效果对比

不同清洗物质和工艺在去除不同类型污染物方面表现各异，下表对各种清洗方法的清洗效果进行了对比：

清洗物质 / 工艺	有机物去除效果	颗粒去除效果	金属离子去除效果	氧化物去除效果	特殊效果
王水 (HNO₃+HCl)	★★★★★	★★★☆☆	★★★★★	★★★☆☆	能溶解贵金属
盐酸 (HCl)	★★☆☆☆	★★★☆☆	★★★★☆	★★★☆☆	对重金属离子特别有效
去离子水 (DIW)	★☆☆☆☆	★★★☆☆	★★☆☆☆	★★☆☆☆	基本清洗介质
QDR	★★☆☆☆	★★★★☆	★★★☆☆	★★☆☆☆	快速去除残留
氮气 (N₂)	★☆☆☆☆	★★☆☆☆	★☆☆☆☆	★☆☆☆☆	干燥辅助，气氛保护
硝酸 (HNO₃)	★★★★☆	★★★☆☆	★★★☆☆	★★★☆☆	强氧化性，有机物去除
室温操作	中等	中等	中等	中等	简化工艺，降低成本
CDA	★☆☆☆☆	★★☆☆☆	★☆☆☆☆	★☆☆☆☆	快速干燥，防止再污染

从上表可以看出：

1. 有机物去除：王水和硝酸表现最佳，特别是王水对有机物的去除效果最为显著(34)

2. 颗粒去除：QDR 和去离子水冲洗在颗粒去除方面表现较好，特别是结合机械搅拌或超声波时效果更佳(12)

3. 金属离子去除：王水和盐酸在金属离子去除方面效果突出，尤其是对重金属离子的去除(3)

4. 氧化物去除：盐酸和硝酸对某些金属氧化物有较好的去除效果，但对硅氧化物的去除通常需要氢氟酸(3)

值得注意的是，没有一种清洗方法能够完美去除所有类型的污染物，因此在实际应用中通常需要组合使用多种清洗方法，以达到全面的清洗效果(7)。

3.2 适用场景对比

不同清洗物质和工艺适用于不同的晶圆类型、工艺节点和污染物类型，下表对各种清洗方法的适用场景进行了对比：

清洗物质 / 工艺	适用晶圆类型	适用工艺节点	最适合的污染物类型	不适合的情况
王水 (HNO₃+HCl)	硅晶圆、某些化合物半导体	前道工艺、金属去除	贵金属、顽固有机物、某些难溶金属	含铝晶圆、易被腐蚀的材料
盐酸 (HCl)	硅晶圆、多种化合物半导体	前道工艺、金属去除	重金属离子、某些金属氧化物	对铝等活泼金属有强腐蚀性
去离子水 (DIW)	所有类型晶圆	所有工艺节点	水溶性污染物、微小颗粒	非水溶性污染物、顽固污染物
QDR	所有类型晶圆	所有工艺节点	残留化学物质、微小颗粒	需要深度清洗的顽固污染物
氮气 (N₂)	所有类型晶圆	所有工艺节点	无	独立使用无法去除污染物
硝酸 (HNO₃)	硅晶圆、某些化合物半导体	前道工艺、有机物去除	有机物、某些金属氧化物	对某些金属有强腐蚀性
室温操作	所有类型晶圆	所有工艺节点	一般污染物	需要高温加速反应的情况
CDA	所有类型晶圆	所有工艺节点	无	独立使用无法去除污染物

从上表可以看出：

1. 王水特别适合去除贵金属和顽固有机物，但由于其强腐蚀性，不适合用于含铝晶圆或易被腐蚀的材料(34)

2. 盐酸对重金属离子的去除效果显著，但对铝等活泼金属有强腐蚀性，使用时需谨慎(3)

3. QDR是一种通用的清洗工艺，特别适合去除残留化学物质和微小颗粒，适用于所有工艺节点(12)

4. 氮气和CDA通常不作为独立的清洗方法使用，而是作为辅助手段，如干燥或气氛保护(11)

5. 室温操作适用于大多数情况，但对于需要高温加速反应的顽固污染物则效果有限(5)

随着半导体制程不断向 3nm 及以下发展，对清洗工艺的要求也越来越高。在先进制程中，通常需要采用多种清洗方法的组合，并精确控制工艺参数，以确保晶圆表面达到原子级洁净度(30)。

3.3 对晶圆的影响对比

不同清洗物质和工艺对晶圆表面特性的影响也各不相同，下表对各种清洗方法对晶圆的影响进行了对比：

清洗物质 / 工艺	表面粗糙度影响	氧化层影响	损伤风险	残留风险	其他影响
王水 (HNO₃+HCl)	可能增加	显著减少	高	中等	强腐蚀性，可能损伤晶圆
盐酸 (HCl)	可能增加	中等减少	中高	中等	对某些金属有强腐蚀性
去离子水 (DIW)	最小	轻微增加	低	低	长时间浸泡可能形成自然氧化层
QDR	最小	轻微增加	低	低	快速排水减少自然氧化层
氮气 (N₂)	无	无	极低	无	干燥后可能产生静电
硝酸 (HNO₃)	可能增加	中等减少	中高	中等	强氧化性，可能改变表面性质
室温操作	最小	轻微影响	低	低	无特殊影响
CDA	无	无	极低	低	可能引入颗粒污染

从上表可以看出：

1. 王水和硝酸由于其强氧化性和腐蚀性，可能会增加晶圆表面粗糙度，并对某些材料造成损伤，使用时需谨慎控制时间和浓度(34)

2. 去离子水和QDR对晶圆表面的影响最小，是最温和的清洗方法，但可能形成自然氧化层(12)

3. 氮气和CDA对晶圆表面几乎没有物理或化学影响，但在干燥过程中可能产生静电或引入颗粒污染(11)

4. 室温操作相比高温操作，对晶圆表面的影响更小，有利于保护晶圆表面特性(5)

在实际应用中，需要根据晶圆材料、工艺节点和后续工艺要求选择合适的清洗方法，平衡清洗效果和对晶圆的影响(7)。对于先进制程的 3nm 及以下节点，晶圆表面的任何微小变化都可能影响器件性能，因此清洗工艺的选择和优化尤为重要(30)。

3.4 成本与效率对比

除了清洗效果和对晶圆的影响外，成本和效率也是选择清洗工艺的重要考量因素。下表对各种清洗方法的成本与效率进行了对比：

清洗物质 / 工艺	设备成本	运行成本	工艺时间	效率	综合成本
王水 (HNO₃+HCl)	中高	高	中等	高	高
盐酸 (HCl)	中等	中高	中等	高	中高
去离子水 (DIW)	低	低	中等	中	低
QDR	中高	中	短	高	中
氮气 (N₂)	中等	中	短	高	中
硝酸 (HNO₃)	中高	高	中等	高	高
室温操作	低	低	中等	中	低
CDA	中等	中	短	高	中

从上表可以看出：

1. 王水和硝酸由于其强腐蚀性和毒性，需要特殊的储存、输送和废气处理设备，设备成本和运行成本都较高(34)

2. 去离子水和室温操作的设备成本和运行成本最低，是最经济的清洗方法，但效率可能相对较低(5)

3. QDR、氮气和CDA虽然设备成本较高，但工艺时间短、效率高，综合成本相对合理(12)

4. 盐酸的成本和效率较为平衡，是一种性价比较高的清洗方法，但需要注意其腐蚀性问题(3)

在实际应用中，需要根据清洗需求、生产规模和预算限制综合考虑成本与效率因素，选择最适合的清洗方法或组合(7)。对于大规模生产，提高清洗效率和降低运行成本尤为重要，而对于高价值的先进制程晶圆，则可能需要牺牲一定的成本以确保清洗效果和晶圆质量(30)。

四、晶圆自动清洗设备的工艺优化策略

4.1 设备设计优化

针对上述分析的各种清洗物质和工艺特点，晶圆自动清洗设备的设计需要进行相应优化，以充分发挥每种清洗方法的优势，同时规避其潜在风险。以下是设备设计优化的几个关键方面：

4.1.1 材料选择优化

晶圆自动清洗设备的材料选择直接影响设备的性能、寿命和清洗效果。根据不同清洗物质的特性，材料选择应遵循以下原则：

1. 耐腐蚀性：与强酸性或强氧化性清洗液接触的部件，如清洗槽、喷淋头、管道等，应选用耐腐蚀材料，如 PFA (全氟烷氧基聚合物)、PVDF (聚偏氟乙烯) 或石英等(11)

• 王水和硝酸等强腐蚀性物质应使用 PFA 或石英材料(11)

• 盐酸等酸性物质可使用 PVDF 或聚丙烯材料(11)

• 去离子水系统可使用 PVDF 或 UPVC (未增塑聚氯乙烯) 材料(11)

1. 表面光洁度：与晶圆接触的部件表面应尽可能光滑，减少颗粒吸附和残留(11)

• 内部表面粗糙度应控制在 Ra 0.8μm 以下，最好达到 Ra 0.4μm 以下(11)

• 避免死角和缝隙，防止清洗液残留和颗粒积聚(11)

1. 防静电：设备内部应采取防静电措施，避免静电吸附颗粒污染晶圆(11)

• 使用防静电材料或添加防静电涂层(11)

• 良好接地设计，确保静电能够安全导走(11)

1. 生物兼容性：对于可能接触生物污染物的情况，应选择生物兼容性好的材料，避免滋生细菌(11)

4.1.2 结构设计优化

晶圆自动清洗设备的结构设计直接影响清洗效果和效率。根据不同清洗工艺的特点，结构设计应考虑以下几点：

1. 多槽设计：针对不同清洗步骤和化学物质，可采用多槽设计，避免不同化学物质相互污染(11)

• 独立的清洗槽、漂洗槽和干燥槽(11)

• 合理的传输路径，减少交叉污染风险(11)

1. 喷淋系统优化：喷淋系统是晶圆清洗设备的核心组件，直接影响清洗均匀性和效果(11)

• 喷淋头的布局应确保晶圆表面全覆盖，无死角(11)

• 喷淋角度和压力应可调节，适应不同清洗需求(11)

• 可采用多角度交叉喷淋设计，提高清洗效果(12)

1. QDR 系统优化：对于 QDR 工艺，设备结构设计尤为关键(12)

• 喷淋注满水时间和排水时间应尽可能短，通常控制在 10-30 秒内(12)

• 应配备高效的排水系统，确保快速排空(12)

• 可考虑增加氮气鼓泡功能，提高冲洗效果(12)

1. 干燥系统优化：干燥是清洗过程的最后一步，对最终清洗效果有重要影响(11)

• 可采用旋转甩干、氮气吹干或 Marangoni 干燥等多种干燥方式(11)

• 干燥区域应保持洁净，避免二次污染(11)

• 可考虑集成 CDA (洁净干燥空气) 系统，提高干燥效率和质量(23)

1. 自动化传输系统：自动化传输系统应平稳、精确，避免损伤晶圆(11)

• 采用软接触设计，减少晶圆表面划伤风险(11)

• 传输速度和加速度应可调节，适应不同工艺需求(11)

• 应具备晶圆定位和对齐功能，确保喷淋位置准确(11)

4.1.3 控制系统优化

先进的控制系统是实现精确清洗的关键，应具备以下功能：

1. 精确温度控制：对于需要温度控制的清洗工艺，如某些酸液清洗，温度控制精度应达到 ±1℃以内(11)

• 可采用 PID 控制算法，确保温度稳定(11)

• 温度传感器应放置在合适位置，准确反映清洗液温度(11)

1. 流量和压力控制：清洗液和去离子水的流量和压力应精确控制(11)

• 流量控制精度应达到 ±5% 以内(11)

• 压力控制精度应达到 ±0.05 MPa 以内(11)

• 应具备压力保护功能，避免压力过高损伤晶圆(11)

1. 时间控制：各清洗步骤的时间应精确控制，误差不超过 ±1 秒(11)

• 可采用可编程逻辑控制器 (PLC) 或工业计算机实现精确计时(11)

• 应具备时间校准功能，确保长期运行的时间准确性(11)

1. 参数记录和追溯：设备应记录所有关键工艺参数，便于质量追溯和工艺优化(11)

• 应记录每个批次的清洗参数，如温度、时间、流量等(11)

• 数据存储应至少保存 3 年以上，满足行业标准要求(11)

• 应具备数据查询和分析功能，支持工艺优化(11)

1. 安全保护：设备应具备完善的安全保护功能，确保操作人员和设备安全(11)

• 急停按钮应易于操作，覆盖设备所有危险区域(11)

• 液体泄漏检测和报警系统(11)

• 气体浓度监测和报警系统，特别是针对挥发性有害物质(11)

• 电气安全保护，如接地、短路保护等(11)

4.2 工艺参数优化

针对不同的清洗物质和工艺，工艺参数的优化对清洗效果至关重要。以下是关键工艺参数的优化建议：

4.2.1 温度控制优化

温度是影响清洗效果的关键因素之一，不同清洗物质的最佳温度范围各不相同：

1. 王水清洗：通常在室温 (20-25℃) 下进行，避免加热以减少有害气体挥发和提高安全性(34)

• 温度控制精度：±1℃(34)

• 温度监测点：应在清洗槽内直接测量清洗液温度(34)

1. 盐酸清洗：可在室温或加热条件下使用，温度范围根据应用而定(7)

• 标准清洗 2 (SC-2) 工艺：65-85℃(7)

• 一般金属离子去除：40-60℃(7)

• 温度控制精度：±2℃(7)

1. 硝酸清洗：通常在室温下使用，但某些情况下可加热至 40-80℃(26)

• 有机物去除：50-70℃(26)

• 金属氧化物去除：40-60℃(26)

• 温度控制精度：±2℃(26)

1. 去离子水冲洗：通常在室温下进行，但在某些情况下可加热以提高冲洗效果(12)

• 高温冲洗：40-60℃，可提高某些污染物的溶解度(12)

• 温度控制精度：±3℃(12)

1. QDR 工艺：通常在室温下进行，重点在于快速冲洗和排水(12)

• 温度控制：无需特殊控制，使用室温去离子水(12)

• 注满水时间：应尽可能短，通常控制在 10-30 秒内(12)

• 排水时间：应尽可能短，通常控制在 10-30 秒内(12)

• 循环次数：3-4 次(15)

在晶圆自动清洗设备中，温度控制应采用高精度的 PID 控制器，并配备多点温度监测，确保整个清洗槽内温度均匀性(11)。对于大型清洗槽，可考虑分区控制，提高温度均匀性(11)。

4.2.2 浓度控制优化

清洗液的浓度直接影响清洗效果和成本，应根据不同清洗物质和污染物特性进行优化：

1. 王水浓度：硝酸：盐酸 = 1:3 (体积比)，这是溶解贵金属的最佳比例(34)

• 浓度控制精度：±5%(34)

• 应定期检测和调整浓度，确保效果稳定(34)

1. 盐酸浓度：根据应用场景不同，浓度范围可从 1% 到 37% 不等(7)

• 金属离子去除：5-15%(7)

• 氧化物蚀刻：10-20%(7)

• 浓度控制精度：±3%(7)

1. 硝酸浓度：根据应用场景不同，浓度范围可从 1% 到 65% 不等(26)

• 有机物去除：10-30%(26)

• 金属氧化物去除：5-20%(26)

• 浓度控制精度：±3%(26)

1. 去离子水纯度：电阻率应≥18 MΩ・cm，确保冲洗效果(11)

• 应在线监测去离子水的电阻率，确保符合要求(11)

• 可配备离子交换树脂或反渗透系统，持续保持去离子水纯度(11)

1. 混合比例控制：对于需要多种化学物质混合的情况，如王水，混合比例控制尤为重要(34)

• 应采用高精度计量泵或比例阀控制各组分的流量(34)

• 混合过程应充分搅拌，确保均匀性(34)

• 应具备浓度异常报警功能，及时发现和处理浓度偏差(34)

在实际应用中，应根据清洗效果和成本效益综合考虑，选择最佳的浓度范围。对于高价值的晶圆或关键工艺，可适当提高浓度以确保清洗效果；对于大规模生产，可在保证效果的前提下降低浓度，以降低成本(7)。

4.2.3 时间控制优化

清洗时间是影响清洗效果和生产效率的重要因素，应根据不同清洗物质和污染物特性进行优化：

1. 王水清洗时间：5-15 分钟，避免时间过长导致过度腐蚀(34)

• 贵金属去除：10-15 分钟(34)

• 顽固有机物去除：8-12 分钟(34)

• 时间控制精度：±1 分钟(34)

1. 盐酸清洗时间：5-20 分钟，根据污染物类型和浓度调整(7)

• 金属离子去除：10-15 分钟(7)

• 氧化物蚀刻：5-10 分钟(7)

• 时间控制精度：±1 分钟(7)

1. 硝酸清洗时间：5-20 分钟，根据污染物类型和浓度调整(26)

• 有机物去除：10-15 分钟(26)

• 金属氧化物去除：8-12 分钟(26)

• 时间控制精度：±1 分钟(26)

1. 去离子水冲洗时间：1-5 分钟，可根据清洗需求调整(12)

• 常规冲洗：2-3 分钟(12)

• 彻底冲洗：3-5 分钟(12)

• 时间控制精度：±10 秒(12)

1. QDR 循环时间：每个循环的总时间应尽可能短，通常控制在 1-2 分钟内(12)

• 喷淋时间：10-30 秒(12)

• 浸泡时间：10-60 秒(12)

• 排水时间：10-30 秒(12)

• 循环次数：3-4 次(15)

在晶圆自动清洗设备中，时间控制应采用高精度的计时器，并具备程序控制功能，可根据不同工艺需求设置不同的时间参数(11)。对于关键工艺步骤，如王水清洗，应设置时间上限保护，避免因控制系统故障导致时间过长损伤晶圆(11)。

4.2.4 压力和流量控制优化

清洗液的压力和流量直接影响清洗效果和均匀性，应根据不同清洗物质和工艺特性进行优化：

1. 喷淋压力：通常控制在 0.1-0.5 MPa，避免压力过大损伤晶圆表面(11)

• 一般清洗：0.2-0.3 MPa(11)

• 顽固污染物：0.3-0.5 MPa，但需谨慎使用(11)

• 压力控制精度：±0.05 MPa(11)

1. 喷淋流量：根据晶圆尺寸和设备类型，流量控制在 5-20 L/min(11)

• 4 英寸晶圆：5-10 L/min(11)

• 6 英寸晶圆：8-15 L/min(11)

• 8 英寸晶圆：10-20 L/min(11)

• 流量控制精度：±5%(11)

1. 氮气压力：用于鼓泡或干燥的氮气压力通常控制在 0.1-0.5 MPa(11)

• 鼓泡：0.1-0.2 MPa(11)

• 干燥：0.2-0.5 MPa(23)

• 压力控制精度：±0.05 MPa(11)

1. 氮气流量：根据应用场景不同，流量控制在 1-20 L/min(11)

• 鼓泡：1-5 L/min(11)

• 干燥：5-20 L/min(23)

• 流量控制精度：±5%(11)

1. QDR 流量：QDR 工艺中的去离子水流量应尽可能大，以缩短注满水时间(12)

• 注满水流量：应根据清洗槽容积和时间要求确定，通常为正常流量的 1.5-2 倍(12)

• 排水流量：应配备大口径排水阀，确保快速排空(12)

在晶圆自动清洗设备中，压力和流量控制应采用高精度的气动或电动调节阀，并配备在线监测仪表，实现闭环控制(11)。对于喷淋系统，应考虑采用恒压供水系统，确保不同位置的喷淋压力均匀性(11)。同时，应根据不同晶圆尺寸和工艺需求，提供压力和流量的调节功能，提高设备的灵活性和适应性(11)。

4.3 清洗工艺组合优化

单一的清洗方法往往无法满足复杂的清洗需求，因此需要根据不同污染物特性和工艺要求，优化清洗工艺组合，以达到最佳效果。以下是几种常见的清洗工艺组合及其优化建议：

4.3.1 RCA 清洗工艺优化

RCA 清洗是半导体制造中最常用的湿法清洗工艺，主要包括 SC-1 (标准清洗 1) 和 SC-2 (标准清洗 2) 两个步骤(7)。RCA 清洗工艺的优化建议如下：

1. 标准 RCA 清洗流程：

• SPM 清洗 (H₂SO₄+H₂O₂)：去除有机物(7)

• DHF 清洗 (稀释 HF)：去除氧化物(7)

• SC-1 清洗 (NH₄OH+H₂O₂+H₂O)：去除颗粒和部分金属(7)

• SC-2 清洗 (HCl+H₂O₂+H₂O)：去除金属离子(7)

1. 工艺参数优化：

• SPM 清洗：H₂SO₄:H₂O₂=5:1-2:1 (体积比)，温度 120-150℃，时间 10-15 分钟(7)

• DHF 清洗：HF:H₂O=1:50-1:100 (体积比)，室温，时间 30-60 秒(7)

• SC-1 清洗：NH₄OH:H₂O₂:H₂O=1:1:5-1:2:7 (体积比)，温度 30-80℃，时间 5-15 分钟(7)

• SC-2 清洗：HCl:H₂O₂:H₂O=1:1:6-1:2:8 (体积比)，温度 65-85℃，时间 5-15 分钟(7)

1. 优化建议：

• 可在 SPM 清洗前增加预清洗步骤，去除大颗粒污染物(7)

• 在 SC-1 和 SC-2 清洗后增加 QDR 快速冲洗，提高残留去除效果(12)

• 可根据污染物特性调整各步骤的顺序和次数(7)

• 对于敏感工艺，可采用稀释的化学溶液，降低对晶圆的影响(7)

RCA 清洗工艺在兆声能量加持下，可减少化学品及 DI 水的用量，缩减晶圆在清洗液中的浸蚀时间，削弱湿法清洗的各向同性对积体电路特征的影响，同时可延长清洗液使用寿命(19)。因此，可考虑在 RCA 清洗设备中集成兆声清洗功能，提高清洗效率和效果(19)。

4.3.2 王水清洗工艺优化

王水清洗主要用于去除贵金属和顽固有机物，其工艺优化建议如下：

1. 基本流程：

• 王水清洗 (HNO₃+HCl)：去除贵金属和顽固有机物(34)

• 去离子水冲洗：去除残留的王水(34)

• 可能的后续处理：如氧化处理或进一步清洗(26)

1. 工艺参数优化：

• 王水浓度：硝酸：盐酸 = 1:3 (体积比)(34)

• 温度：室温 (20-25℃)(34)

• 时间：5-15 分钟(34)

• 冲洗：至少 3 次去离子水冲洗，每次 1-3 分钟(34)

1. 优化建议：

• 王水应现用现配，避免长时间存放导致性能下降(34)

• 可在王水清洗前增加预清洗步骤，去除大颗粒污染物(34)

• 王水清洗后应立即进行去离子水冲洗，避免残留酸液损伤晶圆(34)

• 可在去离子水冲洗中加入少量氨水，中和残留的酸(34)

• 应采用 QDR 快速冲洗技术，提高残留去除效果(12)

王水清洗具有强腐蚀性和毒性，因此在设备设计和工艺操作中应特别注意安全防护。清洗槽应采用 PFA 或石英等耐腐蚀材料，并配备高效的废气处理系统，确保操作人员安全(34)。此外，王水清洗后的废液处理也是一个重要问题，应采用专门的废酸处理系统，避免环境污染(34)。

4.3.3 QDR 与其他工艺的组合优化

QDR (快速排水冲洗) 是一种高效的清洗工艺，可与其他清洗方法组合使用，提高整体清洗效果。以下是 QDR 与其他工艺的组合优化建议：

1. QDR + 化学清洗组合：

• 化学清洗后立即进行 QDR 快速冲洗，可有效去除残留化学物质(12)

• 可采用多次 QDR 循环，提高清洗效果(12)

• 化学清洗与 QDR 之间的转移时间应尽可能短，避免晶圆表面干燥(12)

1. QDR + 超声波 / 兆声波组合：

• 在 QDR 冲洗过程中加入超声波或兆声波，可增强颗粒去除效果(12)

• 超声波频率通常为 40kHz，适用于去除较大颗粒(12)

• 兆声波频率通常为 800kHz-1MHz，适用于去除纳米级颗粒(12)

• 功率控制在 100-600W，避免功率过大损伤晶圆(12)

1. QDR + 氮气鼓泡组合：

• 在 QDR 冲洗过程中加入氮气鼓泡，可增加冲刷力，提高清洗效果(12)

• 氮气流量控制在 1-5 L/min，压力控制在 0.1-0.2 MPa(12)

• 氮气鼓泡可减少去离子水中的含氧量，避免晶圆表面生成氧化物(12)

1. QDR 工艺参数优化：

• 喷淋注满水时间：尽可能短，通常控制在 10-30 秒内(12)

• 排水时间：尽可能短，通常控制在 10-30 秒内(12)

• 循环次数：3-4 次(15)

• 去离子水电阻率：≥18 MΩ・cm(12)

QDR 工艺特别适合作为化学清洗后的冲洗步骤，能够快速去除残留的化学物质和微小颗粒(12)。在设计 QDR 系统时，应考虑以下几点优化：

1. 采用大流量喷淋系统，确保快速注满水(12)

2. 配备高效的排水系统，确保快速排空(12)

3. 增加氮气鼓泡功能，提高冲洗效果(12)

4. 集成在线电阻率监测，确保冲洗效果(12)

5. 采用多槽设计，实现连续清洗，提高生产效率(12)

4.3.4 干燥工艺优化

干燥是清洗过程的最后一步，对最终清洗效果有重要影响。以下是几种常见干燥工艺的优化建议：

1. 旋转甩干优化：

• 转速控制：通常为 1000-3000 rpm，根据晶圆尺寸和干燥要求调整(11)

• 加速和减速曲线：应平缓，避免晶圆边缘损伤(11)

• 干燥时间：3-5 分钟，具体取决于晶圆尺寸和转速(11)

• 可结合氮气吹扫，提高干燥效率和均匀性(11)

1. 氮气吹干优化：

• 氮气压力：0.2-0.5 MPa，避免压力过大损伤晶圆(23)

• 氮气温度：可加热至 40-60℃，提高干燥效率(23)

• 喷嘴设计：应确保氮气均匀覆盖整个晶圆表面(23)

• 干燥时间：2-5 分钟，具体取决于晶圆尺寸和湿度(23)

1. Marangoni 干燥优化：

• 去离子水层厚度：控制在 50-100μm，确保均匀覆盖(11)

• 异丙醇气体流速：控制在 0.3-2.5 mm/s，确保缓慢均匀移动(11)

• 温度控制：去离子水和异丙醇气体均保持在 40-50℃，提高干燥效率(11)

• 干燥时间：5-10 分钟，具体取决于晶圆尺寸和移动速度(11)

1. 综合干燥工艺优化：

• 可采用多级干燥工艺，如先旋转甩干再氮气吹干，提高干燥效果(11)

• 干燥区域应保持洁净，避免二次污染(11)

• 干燥后应进行颗粒检测，确保干燥过程中没有引入新的污染物(11)

• 应控制干燥环境的湿度，避免晶圆表面结露(11)

在晶圆自动清洗设备中，干燥工艺的优化应考虑以下几点：

1. 干燥过程中应避免晶圆表面产生静电，可采用离子风机或防静电材料(11)

2. 干燥系统应与清洗系统紧密集成，减少晶圆暴露在污染环境中的时间(11)

3. 干燥后的晶圆应立即进行保护，如放入洁净的晶圆盒或充氮包装(11)

4. 对于 3D NAND 等复杂结构，应采用特殊的干燥技术，如超临界 CO₂干燥，避免结构损伤(11)

4.4 自动化与智能化优化

随着半导体制造技术的不断发展，晶圆清洗设备也在向自动化和智能化方向演进。以下是晶圆自动清洗设备的自动化与智能化优化建议：

4.4.1 自动化控制优化

自动化控制是提高清洗效率和一致性的关键，应从以下几个方面进行优化：

1. 全流程自动化：

• 从晶圆装载、清洗、漂洗、干燥到卸载的全流程自动化控制(11)

• 应具备自动识别晶圆尺寸和类型的功能，自动加载相应的工艺参数(11)

• 应具备自动上下料功能，可与其他设备集成，形成自动化生产线(11)

1. 智能配方管理：

• 可存储多种清洗配方，根据不同产品需求快速调用(11)

• 配方应包含所有工艺参数，如温度、时间、压力、流量等(11)

• 应具备配方版本管理和权限控制功能，确保工艺稳定性(11)

1. 故障诊断与报警：

• 应具备全面的故障诊断功能，能够快速定位故障点(11)

• 应设置多级报警系统，区分不同严重程度的故障(11)

• 应具备自动保护功能，在异常情况下自动停止运行，保护晶圆和设备安全(11)

1. 远程监控与操作：

• 应具备远程监控功能，可通过网络远程查看设备状态和工艺参数(11)

• 应支持远程操作和参数调整，提高设备的灵活性和响应速度(11)

• 应具备数据记录和分析功能，支持工艺优化和质量追溯(11)

1. 安全联锁系统：

• 应设置完善的安全联锁系统，确保操作人员和设备安全(11)

• 设备门打开时应自动停止运行，并切断危险能源(11)

• 应具备紧急停止功能，可在紧急情况下快速停止设备运行(11)

4.4.2 数据分析与工艺优化

数据分析是提升清洗工艺水平的重要手段，应从以下几个方面进行优化：

1. 大数据分析平台：

• 应建立清洗工艺大数据分析平台，收集和存储大量的工艺数据(30)

• 数据应包括设备参数、工艺参数、清洗效果数据等(30)

• 应具备数据挖掘和分析功能，发现工艺规律和优化空间(30)

1. 关键工艺参数监控：

• 应对温度、压力、流量、时间等关键工艺参数进行实时监控和记录(30)

• 应设置参数偏离报警，及时发现和处理异常情况(30)

• 应分析参数波动对清洗效果的影响，优化控制策略(30)

1. 清洗效果评估：

• 应建立科学的清洗效果评估体系，包括颗粒计数、金属污染检测、表面粗糙度测量等(30)

• 应定期对清洗效果进行评估，并与工艺参数关联分析(30)

• 应根据评估结果，持续优化清洗工艺和参数(30)

1. 预测性维护：

• 应利用数据分析技术，预测设备故障和维护需求(30)

• 应建立基于状态的维护策略，提高设备利用率和寿命(30)

• 应分析易损件的使用寿命和更换周期，优化备件管理(30)

1. AI 工艺优化：

• 可采用人工智能技术，如神经网络、遗传算法等，优化清洗工艺参数(30)

• 应建立工艺优化模型，实现参数自动优化和调整(30)

• 应具备自学习能力，随着生产数据积累不断提升工艺水平(30)

4.4.3 节能环保优化

随着环保要求的不断提高，晶圆清洗设备的节能环保优化也变得越来越重要。以下是节能环保优化的建议：

1. 清洗液回收与循环利用：

• 应采用清洗液回收系统，对昂贵或危险的清洗液进行回收和再利用(11)

• 可采用蒸馏、过滤、离子交换等技术，对清洗液进行再生处理(11)

• 应优化清洗液使用效率，减少浪费(11)

1. 去离子水节约：

• 应采用多级逆流漂洗技术，提高去离子水利用率(11)

• 可采用 QDR 快速冲洗技术，减少去离子水用量(12)

• 应优化冲洗时间和流量，在保证效果的前提下减少用水量(11)

1. 能耗优化：

• 应采用高效节能的电机、泵和风机，降低能耗(11)

• 应优化加热和冷却系统，提高能源利用效率(11)

• 应设置节能模式，在设备空闲时自动降低能耗(11)

1. 废气处理优化：

• 应采用高效的废气处理系统，减少有害气体排放(11)

• 可采用吸附、催化燃烧等技术，处理酸性和有机废气(11)

• 应优化通风系统设计，减少风量需求，降低能耗(11)

1. 废液处理优化：

• 应根据不同废液特性，采用分类收集和处理的方式(11)

• 可采用中和、沉淀、氧化还原等方法，处理酸性和碱性废液(11)

• 应优化废液处理流程，降低处理成本和环境影响(11)

在实际应用中，节能环保优化应与清洗效果和生产效率进行平衡，不能以牺牲清洗质量为代价降低能耗和排放(11)。同时，应关注行业最新的环保法规和标准，确保设备符合最新要求(11)。

五、晶圆自动清洗设备的最佳实践与未来趋势

5.1 晶圆自动清洗设备的最佳实践

基于对各种清洗物质和工艺的分析，结合行业最新发展趋势，以下是晶圆自动清洗设备的最佳实践建议：

5.1.1 设备设计最佳实践

1. 模块化设计：

• 采用模块化设计理念，便于设备升级和功能扩展(11)

• 各功能模块应相对独立，便于维护和更换(11)

• 应预留接口，支持未来技术集成，如新型干燥技术或传感器(11)

1. 材料选择：

• 与清洗液接触的部件应选择耐腐蚀、低颗粒释放的材料，如 PFA、PVDF 或石英等(11)

• 内部表面应尽可能光滑，减少颗粒吸附和残留(11)

• 应避免使用可能污染晶圆的材料，如普通钢材或易老化的橡胶密封件(11)

1. 工艺集成：

• 应集成多种清洗功能，如喷淋清洗、浸泡清洗、超声波清洗等，提高灵活性和适应性(11)

• 应集成多种干燥功能，如旋转甩干、氮气吹干、Marangoni 干燥等，适应不同工艺需求(11)

• 应考虑与其他设备的集成，如光刻、蚀刻等，形成完整的工艺线(11)

1. 安全设计：

• 应设置完善的安全保护措施，如急停按钮、安全门联锁、漏电保护等(11)

• 危险区域应设置明显的警示标识和防护装置(11)

• 应配备完善的废气处理系统，确保操作人员安全(11)

1. 维护友好性：

• 设备应设计为易于维护和检修，减少停机时间(11)

• 关键部件应便于拆卸和更换，降低维护难度和成本(11)

• 应提供清晰的维护手册和培训资料，提高维护效率(11)

5.1.2 工艺操作最佳实践

1. 标准化操作流程：

• 应制定详细的操作流程和标准操作程序 (SOP)(11)

• 操作人员应经过专业培训，熟悉设备和工艺特性(11)

• 应建立工艺变更管理机制，确保工艺稳定性(11)

1. 工艺参数优化：

• 应根据不同晶圆类型和工艺需求，优化清洗工艺参数(7)

• 应定期评估和调整工艺参数，确保清洗效果稳定(7)

• 应记录和分析工艺参数与清洗效果的关系，持续优化工艺(7)

1. 清洁度管理：

• 应建立严格的清洁度管理体系，确保设备内部和环境洁净(11)

• 应定期清洁和消毒设备内部，防止颗粒和微生物污染(11)

• 应控制环境温湿度和洁净度，避免外部污染(11)

1. 质量监控：

• 应建立完善的质量监控体系，定期检测清洗效果(11)

• 应采用多种检测手段，如颗粒计数、金属污染检测、表面粗糙度测量等(11)

• 应建立质量追溯系统，确保每片晶圆的清洗过程可追溯(11)

1. 持续改进：

• 应建立工艺改进机制，鼓励操作人员提出改进建议(11)

• 应定期分析生产数据和质量数据，识别改进机会(11)

• 应关注行业最新技术发展，适时引入新技术和新工艺(11)

5.1.3 维护与管理最佳实践

1. 预防性维护：

• 应建立完善的预防性维护计划，定期检查和维护设备(11)

• 应制定详细的维护清单和标准，确保维护质量(11)

• 应记录维护活动和结果，建立设备维护档案(11)

1. 备件管理：

• 应建立关键备件库存，确保及时更换，减少停机时间(11)

• 应分析备件使用寿命和更换周期，优化库存管理(11)

• 应与供应商建立良好合作关系，确保备件供应稳定(11)

1. 培训与认证：

• 应定期组织操作人员和维护人员培训，提高技能水平(11)

• 应建立认证机制，确保人员资质符合要求(11)

• 应鼓励员工参与行业技术交流和学习，了解最新发展趋势(11)

1. 文档管理：

• 应建立完善的设备文档管理系统，包括设计图纸、操作手册、维护记录等(11)

• 应确保文档的准确性和完整性，及时更新和修订(11)

• 应建立文档访问和使用规范，确保信息安全(11)

1. 数据分析与应用：

• 应收集和分析设备运行数据，识别潜在问题和改进机会(30)

• 应利用数据分析技术，优化维护策略和工艺参数(30)

• 应建立数据共享机制，促进经验交流和知识积累(30)

5.2 晶圆清洗技术的未来趋势

随着半导体制程不断向 3nm 及以下发展，晶圆清洗技术也在不断创新和演进。以下是晶圆清洗技术的未来趋势：

5.2.1 干法清洗技术发展

虽然目前湿法清洗仍占据主导地位，但干法清洗技术正在快速发展，未来有望在某些领域替代湿法清洗(11)。干法清洗技术的主要发展趋势包括：

1. 等离子体清洗：

• 发展低损伤、高选择性的等离子体清洗技术，适应 3nm 及以下工艺需求(11)

• 开发新型等离子体源和工艺气体，提高清洗效率和均匀性(11)

• 研究等离子体与晶圆表面的相互作用机制，优化工艺参数(11)

1. 超临界 CO₂清洗：

• 开发超临界 CO₂清洗技术，特别适用于高深宽比结构和纳米结构的清洗(11)

• 研究超临界 CO₂与各种污染物的相互作用机制，优化清洗效果(11)

• 开发 CO₂回收和循环利用技术，降低运行成本和环境影响(11)

1. 激光清洗：

• 研究激光清洗技术，实现无接触、高精度的污染物去除(11)

• 开发适合不同材料和结构的激光参数和工艺(11)

• 研究激光与污染物的相互作用机制，提高清洗效率和选择性(11)

1. 干法清洗与湿法清洗的结合：

• 开发干法与湿法相结合的混合清洗技术，发挥各自优势(11)

• 研究不同清洗方法的协同效应，优化工艺组合(11)

• 开发适应混合清洗的设备和工艺，提高整体清洗效果(11)

5.2.2 湿法清洗技术创新

湿法清洗技术也在不断创新，以适应更先进的制程需求。湿法清洗技术的主要发展趋势包括：

1. 单晶圆清洗技术：

• 单晶圆清洗将成为主流，减少交叉污染风险，提高清洗效果和良率(11)

• 开发更高效的单晶圆清洗设备，提高生产效率和降低成本(11)

• 研究单晶圆清洗的流体力学和传质机理，优化喷淋和旋转参数(11)

1. 兆声波清洗技术：

• 开发更高频率、更高功率的兆声波清洗技术，提高纳米级颗粒去除能力(11)

• 研究兆声波与晶圆表面的相互作用机制，优化清洗参数(11)

• 开发适用于不同材料和结构的兆声波换能器和清洗工艺(11)

1. 低浓度化学清洗：

• 开发低浓度、高活性的清洗液配方，减少化学消耗和环境影响(31)

• 研究添加剂和催化剂对清洗效果的影响，提高低浓度清洗液的性能(31)

• 开发可回收和循环利用的清洗液系统，降低运行成本和环境负荷(31)

1. 绿色环保清洗技术：

• 开发无氟、无磷、无 VOC 的环保型清洗液，减少环境危害(31)

• 研究生物降解型清洗剂和天然来源的清洗材料(31)

• 开发低能耗、低排放的清洗工艺，符合可持续发展要求(31)

5.2.3 智能化与自动化发展

智能化与自动化是晶圆清洗技术的重要发展方向，主要趋势包括：

1. 人工智能应用：

• 开发基于人工智能的清洗工艺优化系统，实现参数自动优化和调整(30)

• 研究机器学习和深度学习在清洗工艺中的应用，提高工艺稳定性和良率(30)

• 开发基于 AI 的缺陷检测和分类系统，实现清洗效果的自动评估(30)

1. 大数据与云计算：

• 建立基于云计算的清洗工艺大数据平台，实现数据共享和分析(30)

• 开发数据挖掘和分析工具，发现工艺规律和优化空间(30)

• 建立工艺知识图谱和专家系统，支持工艺决策和优化(30)

1. 物联网技术应用：

• 开发基于物联网的设备监控和管理系统，实现远程监控和故障诊断(30)

• 研究传感器技术在清洗过程中的应用，实现实时监测和控制(30)

• 开发智能预警和预测系统，提高设备可靠性和维护效率(30)

1. 自动化与无人化：

• 开发全自动化的清洗生产线，实现从晶圆上料到下料的全程自动化(30)

• 研究机器人技术在清洗设备中的应用，提高操作精度和效率(30)

• 开发自主移动机器人和智能物流系统，实现清洗设备的无人化运行(30)

5.2.4 特殊结构清洗技术

随着 3D NAND、FinFET、GAA 等特殊结构的出现，晶圆清洗面临新的挑战，特殊结构清洗技术的发展趋势包括：

1. 3D NAND 清洗技术：

• 开发适用于高深宽比结构的清洗技术，确保清洗液能够渗透到结构底部(11)

• 研究残留物在 3D 结构中的分布和去除机制，优化清洗工艺(11)

• 开发新型干燥技术，避免干燥过程中结构塌陷或损伤(11)

1. FinFET 和 GAA 清洗技术：

• 开发低损伤的清洗技术，避免损伤鳍状或纳米线结构(11)

• 研究各向异性清洗工艺，实现选择性清洗和保护(11)

• 开发适用于小尺寸结构的颗粒去除技术，确保器件性能(11)

1. 铜互连清洗技术：

• 开发不损伤铜表面的清洗技术，避免铜腐蚀和氧化(11)

• 研究铜互连结构中的残留物去除方法，优化清洗工艺(11)

• 开发适用于铜扩散阻挡层的清洗技术，确保互连性能(11)

1. 新型材料清洗技术：

• 开发适用于高 k 介质、金属栅极等新型材料的清洗技术(11)

• 研究新型材料与清洗液的相互作用机制，优化清洗参数(11)

• 开发不改变材料特性的清洗工艺，确保器件性能和可靠性(11)

5.3 晶圆自动清洗设备的发展建议

基于以上分析，以下是对晶圆自动清洗设备发展的建议：

5.3.1 技术创新方向

1. 多功能集成：

• 集成多种清洗和干燥功能，提高设备的灵活性和适应性(11)

• 开发模块化设计，便于功能扩展和升级(11)

• 研究清洗与其他工艺的集成，如清洗与蚀刻、清洗与沉积等(11)

1. 智能化控制：

• 开发基于 AI 的工艺优化系统，实现参数自动优化和调整(30)

• 研究机器学习和深度学习在清洗工艺中的应用，提高工艺稳定性和良率(30)

• 开发基于大数据的预测性维护系统，提高设备可靠性和寿命(30)

1. 绿色制造：

• 开发低浓度、高效率的清洗液配方，减少化学消耗和环境影响(31)

• 研究清洗液回收和循环利用技术，降低运行成本和环境负荷(31)

• 开发节能降耗的清洗工艺和设备，符合可持续发展要求(31)

1. 高精度控制：

• 开发更高精度的温度、压力、流量控制技术，提高工艺稳定性(11)

• 研究多物理场耦合控制方法，实现复杂工艺的精确控制(11)

• 开发在线监测和反馈控制技术，实现工艺参数的实时调整(11)

5.3.2 市场定位策略

1. 差异化竞争：

• 针对特定应用场景开发专业化的清洗设备，如 3D NAND 清洗、铜互连清洗等(11)

• 开发具有自主知识产权的核心技术，如特殊喷嘴设计、高效兆声波换能器等(11)

• 提供个性化的解决方案，满足不同客户的特殊需求(11)

1. 高端市场突破：

• 开发适用于 3nm 及以下工艺节点的高端清洗设备，进入国际先进市场(11)

• 与高校和研究机构合作，开展前沿技术研究和应用(11)

• 建立国际化的研发和销售网络，提高品牌影响力(11)

1. 国产替代加速：

• 针对国内市场需求，开发性价比高的中高端清洗设备(11)

• 加强关键零部件的国产化研发，降低成本和供应链风险(11)

• 与国内晶圆厂建立紧密合作关系，共同开发和验证新设备(11)

1. 服务增值：

• 提供全面的技术支持和服务，如工艺开发、培训、维护等(11)

• 建立远程诊断和维护系统，提高服务响应速度和质量(11)

• 提供清洗工艺优化和良率提升的整体解决方案(11)

5.3.3 产业链协同发展

1. 材料与设备协同：

• 与清洗液供应商合作，开发与设备匹配的高性能清洗液(11)

• 研究材料与设备的相互作用机制，优化系统性能(11)

• 建立材料与设备的协同创新机制，推动技术进步(11)

1. 产学研合作：

• 与高校和研究机构合作，开展基础研究和应用研究(11)

• 建立联合实验室和研发中心，共同开发新技术和新产品(11)

• 培养专业人才，为产业发展提供人才支持(11)

1. 产业链整合：

• 整合清洗设备上下游产业链，提高整体竞争力(11)

• 建立产业联盟，共同应对技术挑战和市场竞争(11)

• 推动产业链标准化和规范化，提高产业效率和质量(11)

1. 国际化发展：

• 参与国际标准制定，提高行业话语权和影响力(11)

• 加强国际合作与交流，引进先进技术和管理经验(11)

• 拓展海外市场，实现国际化发展战略(11)

六、结论与建议

6.1 主要结论

通过对晶圆清洗行业中王水、HCl、DIW、QDR、DR、N₂、HNO₃、RT、CDA 等化学物质和工艺的全面分析，得出以下主要结论：

1. 晶圆清洗的重要性：晶圆清洗是半导体制造中不可或缺的关键工艺，直接影响芯片的良率、性能和可靠性。随着制程节点不断缩小，清洗技术的重要性日益凸显(1)。

2. 化学物质特性与应用：

• 王水(HNO₃+HCl) 是最强的清洗剂之一，特别适用于去除贵金属和顽固有机物，但具有强腐蚀性，使用时需谨慎(34)

• 盐酸(HCl) 是去除金属离子的有效试剂，在 SC-2 清洗中发挥重要作用(3)

• 去离子水(DIW) 是最基础也是最常用的清洗介质，在 QDR 和 DR 等工艺中发挥关键作用(11)

• QDR(快速排水冲洗) 是提高清洗效率和效果的重要工艺，通过快速冲洗和排水减少晶圆氧化和残留(12)

• 氮气(N₂) 和CDA(洁净干燥空气) 主要用于干燥和气氛保护，是清洗过程的重要辅助手段(11)

• 硝酸(HNO₃) 具有强氧化性，可用于去除有机物和某些金属氧化物(26)

• 室温(RT) 操作简化工艺、降低成本，适用于大多数清洗场景(5)

1. 清洗效果对比：

• 有机物去除：王水和硝酸效果最佳(34)

• 颗粒去除：QDR 和去离子水冲洗效果较好(12)

• 金属离子去除：王水和盐酸效果显著(3)

• 氧化物去除：盐酸和硝酸有一定效果，但通常需要氢氟酸配合(3)

1. 设备设计与工艺优化：

• 设备材料应选择耐腐蚀、低颗粒释放的材料，如 PFA、PVDF 或石英等(11)

• 工艺参数控制精度直接影响清洗效果，应采用高精度的温度、压力、流量和时间控制(11)

• 清洗工艺组合优化是提高效果的关键，如 RCA 清洗、王水清洗与 QDR 的组合等(7)

• 自动化和智能化是未来发展趋势，可提高效率、稳定性和良率(30)

1. 未来发展趋势：

• 干法清洗技术将在某些领域替代湿法清洗，如等离子体清洗和超临界 CO₂清洗(11)

• 湿法清洗技术将向单晶圆清洗、兆声波清洗和绿色环保方向发展(11)

• 智能化和自动化将成为主流，AI 和大数据技术将广泛应用于清洗工艺优化和设备控制(30)

• 特殊结构清洗技术将不断创新，以适应 3D NAND、FinFET 和 GAA 等新型结构的需求(11)

6.2 对晶圆自动清洗设备制造商的建议

基于以上分析，对晶圆自动清洗设备制造商提出以下建议：

1. 技术创新建议：

• 材料创新：开发更耐腐蚀、低颗粒释放的新材料，提高设备性能和寿命(11)

• 工艺创新：研究新型清洗工艺和组合，如低浓度化学清洗、兆声波清洗等，提高清洗效果和效率(11)

• 控制创新：开发高精度、智能化的控制系统，实现工艺参数的精确控制和优化(30)

1. 产品策略建议：

• 差异化产品：针对不同应用场景开发专业化的清洗设备，如 3D NAND 清洗设备、铜互连清洗设备等(11)

• 模块化设计：采用模块化设计理念，提高设备的灵活性和可扩展性(11)

• 一站式解决方案：提供包括设备、工艺、耗材和服务在内的一站式解决方案，满足客户全方位需求(11)

1. 市场拓展建议：

• 高端市场突破：开发适用于 3nm 及以下工艺节点的高端清洗设备，进入国际先进市场(11)

• 国产替代加速：加强国产化研发，降低成本，提高国内市场占有率(11)

• 服务增值：提供技术支持、工艺开发、培训等增值服务，增强客户粘性(11)

1. 产业链合作建议：

• 与材料供应商合作：共同开发高性能清洗液和匹配的设备(11)

• 产学研合作：与高校和研究机构合作，开展基础研究和应用研究(11)

• 产业链整合：整合上下游资源，提高整体竞争力(11)

1. 可持续发展建议：

• 绿色制造：开发低能耗、低排放、环保型清洗设备和工艺(31)

• 循环经济：研究清洗液回收和循环利用技术，降低环境影响和成本(31)

• 社会责任：履行企业社会责任，推动行业可持续发展(31)

6.3 对晶圆制造企业的建议

对晶圆制造企业提出以下建议：

1. 设备选择建议：

• 根据工艺需求选择设备：根据产品类型、工艺节点和清洗要求，选择合适的清洗设备(11)

• 考虑全生命周期成本：不仅考虑设备采购成本，还要考虑运行成本、维护成本和升级成本(11)

• 关注设备兼容性：确保设备与现有工艺和未来升级需求兼容(11)

1. 工艺优化建议：

• 工艺组合优化：根据污染物特性和工艺要求，优化清洗工艺组合，提高清洗效果(7)

• 参数精细控制：精确控制温度、浓度、时间、压力和流量等工艺参数，提高一致性和稳定性(11)

• 持续改进：建立清洗工艺的持续改进机制，不断优化工艺参数和流程(11)

1. 质量管理建议：

• 建立完善的质量监控体系：定期检测清洗效果，确保符合质量要求(11)

• 实施统计过程控制：应用 SPC 等质量管理工具，监控和改进清洗过程(11)

• 建立质量追溯系统：确保每片晶圆的清洗过程可追溯，便于质量分析和问题解决(11)

1. 人才培养建议：

• 专业培训：加强操作人员和维护人员的专业培训，提高技能水平(11)

• 技术交流：鼓励员工参与行业技术交流和学习，了解最新发展趋势(11)

• 团队建设：建立专业的清洗工艺团队，负责工艺开发、优化和问题解决(11)

1. 合作共赢建议：

• 与设备制造商合作：共同开发适合特定工艺需求的清洗解决方案(11)

• 与材料供应商合作：开发与工艺匹配的高性能清洗液(11)

• 与研究机构合作：开展前沿技术研究和应用，保持技术领先(11)

6.4 未来展望

展望未来，晶圆清洗技术将继续朝着更高精度、更高效率、更低损伤和更环保的方向发展。随着半导体制程进入 3nm 及以下，晶圆清洗面临的挑战将越来越大，同时也将催生更多的技术创新和突破(30)。

1. 技术融合：

• 干法清洗与湿法清洗的融合，发挥各自优势，实现更全面的清洗效果(11)

• 物理清洗与化学清洗的融合，提高清洗效率和选择性(11)

• 传统清洗技术与新兴技术的融合，如 AI、大数据、物联网等，推动清洗技术智能化发展(30)

1. 材料创新：

• 新型清洗材料的开发，如低浓度、高活性的清洗液，减少化学消耗和环境影响(31)

• 功能性材料的应用，如超疏水、超亲水材料，改善清洗效果和减少残留(31)

• 可降解材料的研究，降低对环境的长期影响(31)

1. 工艺创新：

• 单晶圆清洗将成为主流，减少交叉污染风险，提高清洗效果和良率(11)

• 低损伤、高选择性的清洗工艺将不断涌现，适应更先进的制程需求(11)

• 绿色环保清洗工艺将得到广泛应用，符合可持续发展要求(31)

1. 设备发展：

• 高精度、智能化的晶圆清洗设备将成为市场主流(30)

• 多功能、模块化的设计将提高设备的灵活性和适应性(11)

• 集成化、自动化的清洗系统将提高生产效率和降低成本(11)

1. 应用拓展：

• 晶圆清洗技术将拓展到更多领域，如 MEMS、生物芯片、光电子等(11)

• 特殊结构和材料的清洗技术将不断创新，满足新兴应用的需求(11)

• 清洗技术将与其他工艺深度融合，形成更完整的工艺解决方案(11)

总之，晶圆清洗技术将继续在半导体制造中发挥关键作用，并随着技术进步和市场需求不断创新和发展。晶圆自动清洗设备制造商和晶圆制造企业应密切关注行业发展趋势，加强技术创新和合作，共同推动晶圆清洗技术的进步，为半导体产业的发展提供有力支持(11)。

参考资料

[1] 2025-2031全球及中国晶圆制程用清洗液行业研究及十五五规划分析报告 https://cn.qyresearch.com/reports/5699163/residue-removers-for-wafer-process

[2] 2025-2031中国晶圆清洗化学品市场现状研究分析与发展前景预测报告 | 恒策咨询 https://www.hengceresearch.cn/products/497091

[3] 2025-2031全球及中国半导体清洗和蚀刻气体行业研究及十五五规划分析报告 | 恒策咨询 https://www.hengceresearch.cn/products/445882

[4] 2025年化学机械平面化后清洗化学品市场数据调研报告 https://m.gelonghui.com/p/1880749

[5] Post Etch Residue (PER) Cleaners https://www.technic.com/applications/semiconductor/chemistry-fabrication-packaging-materials/cleaners

[6] 晶圆制程高纯化学品SYS系列_上海新阳半导体材料股份有限公司 https://www.sinyang.com.cn/product/bdtzzjxjfz/123.html

[7] RCA清洗四步法:半导体晶圆表面原子级洁净的核心工艺解密-科芯微(江苏)微电子有限公司 http://www.kxw-semi.com/News_detail/18.html

[8] ekc溶液清洗工艺_配方_反应_聚合物 https://www.sohu.com/a/887466773_122056921

[9] 2025年半导体清洗工艺新型材料创新应用探析.docx-原创力文档 https://m.book118.com/html/2025/0910/6145011204011225.shtm

[10] 半导体清洗工艺2025年突破:高效清洗剂研发报告.docx-原创力文档 https://m.book118.com/html/2025/0903/7061155141010153.shtm

[11] 晶圆清洗设备概述_化学_表面_颗粒物 https://m.sohu.com/a/902696275_120498874/

[12] 探究清洗设备中QDR的作用 - 半导体硅片清洗机设备 - 华林科纳(江苏)半导体设备有限公司 http://www.hlkncse.com/news_view.aspx?Fid=t2:132:2\&Id=698\&TypeId=132

[13] Quick Dump Rinse Tank for Ultrapure or DI Water https://www.besttechnologyinc.com/wet-bench/quick-dump-rinse-tank-wet-process-equipment

[14] QDR清洗设备 芯矽科技-芯矽科技-电子发烧友网 https://m.elecfans.com/p/v140733.html

[15] 华林科纳(江苏)半导体设备有限公司 http://www.hlkncse.com/news_view.aspx?TypeId=150\&Id=670

[16] 科普 | 浅谈半导体湿法清洗技术、半导体清洗、RCA清洗、稀释化学法、IMEC清洗法、单片清洗、干法清洗、擦片清洗、高压喷射清洗、晶圆清洗 https://www.cgbtek.com/Ne_d_gci_22_id_2091.html

[17] 半导体制造中的湿法清洗工艺解析-电子发烧友网 https://www.elecfans.com/d/6459317.html

[18] 半导体湿法清洗工艺详细介绍_智能制造网 https://m.gkzhan.com/tech_news/detail/435284.html

[19] 半导体清洗:湿法清洗和干法清洗怎么选? - 深圳扩维原子科技有限公司 https://www.creatom.cn/news_details.html?_t=1727594379\&newsid=2957093

[20] 《晶圆的清洁与处理技术》课件 - 豆丁网 https://www.docin.com/touch_new/preview_new.do?id=4847712947

[21] 硅片晶圆清洗工艺要求-化工仪器网-手机版 https://m.chem17.com/tech_news/detail/4058592.html

[22] 硅晶圆的清洗方法及制造方法与流程 https://www.xjishu.com/zhuanli/59/202280058117.html

[23] #晶圆 超声波清洗机：对晶圆cassette进行一次、二次去离子水清洗；同时 对单片晶圆通过水气二流体（DIW\&CDA）进行清洗吹干 助力#半导体 #芯片 行业，见证中国制造👍👍👍@DOU+小助手 @抖音小助手 @我要上热门 -抖音 https://www.iesdouyin.com/share/video/7153884179984403743/?did=MS4wLjABAAAANwkJuWIRFOzg5uCpDRpMj4OX-QryoDgn-yYlXQnRwQQ\&from_aid=1128\&from_ssr=1\&iid=MS4wLjABAAAANwkJuWIRFOzg5uCpDRpMj4OX-QryoDgn-yYlXQnRwQQ\&mid=7153884225043090207\&region=\&scene_from=dy_open_search_video\&share_sign=eqfjeUvrwou1w6znsHlXvrcBj1qPwe4IFE2M2DaCIiI-\&share_track_info=%7B%22link_description_type%22%3A%22%22%7D\&share_version=280700\&titleType=title\&ts=1758073602\&u_code=0\&video_share_track_ver=\&with_sec_did=1

[24] 晶圆湿法清洗工作台工艺流程-电子发烧友网 http://www.elecfans.com/d/6507355.html

[25] 2025至2030晶圆清洗系统行业发展研究与产业战略规划分析评估报告.docx-原创力文档 https://m.book118.com/html/2025/0911/6233215240011225.shtm

[26] 一种再生晶圆金属膜去除后防止金属离子二次污染的方法与流程 https://www.xjishu.com/zhuanli/59/202311408876.html

[27] 晶圆清洗方法与流程 https://www.xjishu.com/zhuanli/59/202310800183.html

[28] 2025至2030晶圆清洗系统行业项目调研及市场前景预测评估报告.docx-原创力文档 https://m.book118.com/html/2025/0728/8110126113007115.shtm

[29] 晶圆清洗_化学镀金机_保偏蚀刻机_武汉百臻半导体科技有限公司 http://www.whbaizhen.com/

[30] 2025半导体展晶圆清洗工艺详解及常见问题处理 https://21533095.b2b.11467.com/m/news/11634088.asp

[31] 2025年半导体清洗工艺:高效节能清洗液技术创新趋势.docx-原创力文档 https://m.book118.com/html/2025/0913/5002314132012330.shtm

[32] 2025年半导体清洗工艺在能源存储芯片制造中的创新应用.docx-原创力文档 https://m.book118.com/html/2025/0915/8024072134007132.shtm

[33] 2025-2031年全球与中国半导体清洗液市场现状及前景分析报告 https://txt.cir.cn/5120605.html

[34] 一种晶圆背面金属层的去除方法技术_技高网 https://www.jigao616.com/zhuanlijieshao_40927917.aspx

[35] (54)发明名称 半导体基板清洗系统及半导体基板的清洗 方法(pdf) https://patentimages.storage.googleapis.com/04/d8/3b/91775391225da9/CN105009258B.pdf

[36] 硅片的清洗与制绒-一次清洗培训材料-修改-wenkub https://www.wenkub.com/doc-232871133.html

[37] 王水-腐蚀性非常强、冒黄色雾的液体 https://m.baike.com/wiki/%E7%8E%8B%E6%B0%B4/19998345?baike_source=doubao

[38] 晶圆的湿法蚀刻法和清洁度 http://www.hlkncse.com/news_view.aspx?TypeId=162\&Id=1743\&Fid=t2:162:2

[39] 湿法化学腐蚀-电子工程专辑 https://www.eet-china.com/mp/a247253.html

[40] Wet Chemical Etching of Metals and Semiconductors https://cleanroom.groups.et.byu.net/wet_etch.phtml

[41] Chemical systematics in first aqua regia leach step of Si wafers(pdf) http://paque.com/genesis/Humayan.pdf

[42] How to clean the ceramic insulators on a Waters instrument - WKB64189 https://support.waters.com/KB_Inst/Mass_Spectrometry/WKB64189_How_to_clean_ceramic_insulators_on_a_Waters_instrument

[43] PFC Bench 01 https://lnf-wiki.eecs.umich.edu/wiki/index.php?title=PFC_Bench_01\&mobileaction=toggle_view_desktop\&printable=yes

（注：文档部分内容可能由 AI 生成）